我們?cè)诔Ｒ?guī)使用中，NMOS和PMOS的電流一般朝著一個(gè)方向流動(dòng)，如下：
NMOS：D—S
PMOS：S—D
實(shí)際上，BJT的電流與MOS管有很大區(qū)別。BJT的電流方向是固定的，但MOS管并非唯一。我們知道，寄生二極管，即體二極管，MOS管的電流方向與其極性是相反的。
也就是說(shuō)，當(dāng)MOS管在進(jìn)行開(kāi)關(guān)使用時(shí)，導(dǎo)通電路只會(huì)通過(guò)MOS管的主體流過(guò)。體二極管在此不會(huì)有額外的電流通過(guò)。
當(dāng)MOS管關(guān)閉時(shí)，MOS管會(huì)處于完全關(guān)閉的狀態(tài)（因?yàn)闆](méi)有電流流過(guò)）。
如下圖：MOS管的體二極管為圖中的Di
那么，如果電流方向反過(guò)來(lái)呢?是否也是這種情況？
我們看下面這張圖：MOS管的體二極管為圖中的Di：
與上面那張相反。當(dāng)MOS管的電流方向?yàn)椋?/div>
NMOS：S—D
PMOS：D—S
我們會(huì)看到，其電流方向與各自的體二極管的極性是相同的。
當(dāng)MOS管進(jìn)行開(kāi)關(guān)使用時(shí)，導(dǎo)通時(shí)電流從MOS管的主體流過(guò)，也會(huì)有額外的電流流過(guò)同極性的體二極管（但只有少量）。
當(dāng)MOS管處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，MOS管不會(huì)完全關(guān)閉，并且會(huì)有較大的電流從體二極管通過(guò)。
這與我們之前講過(guò)的類(lèi)似：當(dāng)VGS滿(mǎn)足于驅(qū)動(dòng)條件時(shí)，漏極電位高于源極，電流從D—S,源極電位高于漏極，電流從S—D。這主要看的是漏極與源極之間的電位。
那么，為什么在開(kāi)關(guān)使用場(chǎng)景中，我們經(jīng)?？吹降氖菆D一的電流流向呢？
拿NMOS作另外的電流流向S—D來(lái)舉例子。
當(dāng)NMOS以電流為S—D的使用方式，用于開(kāi)關(guān)使用時(shí)，當(dāng)NMOS關(guān)斷時(shí)，會(huì)有較大的電流在體二極管處通過(guò)，即圖中的Di。這在實(shí)際應(yīng)用中達(dá)不到開(kāi)關(guān)的效果。
這也是為什么我們通常將NMOS以D—S來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作。
那么，S—D就沒(méi)有實(shí)際使用意義了嗎？
還是那句話(huà)嘛，存在即合理。
在防反接電路中，它就能發(fā)揮特別的作用了。
在這里我們暫不進(jìn)入深入研究，簡(jiǎn)單說(shuō)下工作原理即可。
拿一個(gè)N-MOSFET來(lái)做一個(gè)防反接電路：
當(dāng)電源正極，經(jīng)過(guò)后級(jí)負(fù)載電路接到體二極管，體二極管會(huì)導(dǎo)通，此時(shí)S極的電壓大概為0.7V（體二極管導(dǎo)通電壓）。
與此同時(shí)G極（柵極）接的是電源正極，這時(shí)Vgs=Vcc-0.7V>Vgsth，NMOS管就會(huì)導(dǎo)通。
當(dāng)NMOS管導(dǎo)通后，導(dǎo)通壓降基本為0，那么Vgs等于Vcc，MOS管保持導(dǎo)通狀態(tài)。
因此，整體電源通路就是通的，電源給后級(jí)負(fù)載供上了電，后級(jí)電路正常工作。
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