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    MOS集成邏輯門電路圖解
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-05-17 18:21:58
    • 來源:
    • 閱讀次數(shù):
    MOS集成邏輯門電路圖解
    (1)nmos反相器
    設(shè)電壓vdd = 10v,開啟電壓vt1 = vt2 = 2v
    1、a輸入高電平vih = 8v
    t1、t2均導(dǎo)通,輸出為低電平vol ≈0.3v
    2、a輸入低電平v il = 0.3v時(shí),
    t1截止t2導(dǎo)通,電路輸出高電平voh = vdd - vt2 = 8v。
    故 電路執(zhí)行邏輯非功能
    MOS 集成 門電路
    (2)nmos門電路
    工作原理
    1、當(dāng)兩個(gè)輸入端a和b均為高電平時(shí)
    t1和t2都導(dǎo)通,輸出低電平
    MOS 集成 門電路
    2、當(dāng)輸出端有一個(gè)為低電平時(shí),
    與低電平相連的驅(qū)動(dòng)管就截止,輸出高電平
    MOS 集成 門電路
    注:增加扇入,只增加串聯(lián)驅(qū)動(dòng)管的個(gè)數(shù),但扇入不宜過多,一般不超過 3
    (3)cmos門電路
    cmos反相器
    工作原理
    1、輸入為低電平vil = 0v時(shí)
    vgs1<vt1 —t1管截止;
    |vgs2| >vt2 —t2導(dǎo)通;
    電路中電流近似為零(忽略t1的截止漏電流),vdd主要降落在t1上,輸出為高電平voh≈vdd
    2、輸入為高電平vih = vdd時(shí),t1通t2止,vdd主要降在t2上,輸出為低電平vol≈0v
    MOS 集成 門電路
    cmos傳輸門(tg門)
    工作原理
    當(dāng)c = vdd, c= 0v時(shí),
    vi由0~(vdd-vt)范圍變化時(shí)tn導(dǎo)通
    vi在vt~vdd范圍變化時(shí)tp導(dǎo)通
    即vi在0~vdd范圍變化時(shí),tn、tp中至少有一只管子導(dǎo)通,使vo=vi,這相當(dāng)于開關(guān)接通,這種狀態(tài)稱為傳輸門傳輸信息
    MOS 集成 門電路
    1、當(dāng)c 為低電平時(shí), tn、tp截止傳輸門相當(dāng)于開關(guān)斷開,傳輸門保存信息
    2、當(dāng)c為高電平時(shí), tn、tp中至少有一只管子導(dǎo)通,使vo=vi,這相當(dāng)于開關(guān)接通,傳輸門傳輸信息
    由此可見傳輸門相當(dāng) 于一個(gè)理想的開關(guān),且是一個(gè)雙向開關(guān)
    cmos門電路
    1、與非門
    二輸入“與非”門電路結(jié)構(gòu)如圖
    MOS 集成 門電路
    2、“異或”門
    輸入端a和b相同
    當(dāng)a = b = 0時(shí)
    tg斷開,則c=b=1,f=c=0。
    當(dāng)a = b = 1時(shí),
    tg接通,c = b = 1,反相器2的兩只mos管都截止,輸出f=0。
    得:輸入端a和b相同, 輸出 f=0
    輸入端a和b不同
    當(dāng)a = 1,b = 0時(shí),輸出f=1
    當(dāng)a = 0,b = 1時(shí),輸出f=1
    得:輸入端a和b不同,輸出 f=1
    MOS 集成 門電路
    (4) cmos電路的特點(diǎn)
    1、功耗小:cmos門工作時(shí),總是一管導(dǎo)通另一管截止,因而幾乎不由電源吸取電流其功耗極小。
    2、cmos功耗低內(nèi)部發(fā)熱量小,集成度可大大提高。
    3、抗幅射能力強(qiáng),mos管是多數(shù)載流子工作,射線輻 射對(duì)多數(shù)載流子濃度影響不大。
    4、電壓范圍寬:cmos門電路輸出高電平voh ≈ vdd,低電平vol ≈ 0v。
    5、輸出驅(qū)動(dòng)電流比較大:扇出能力較大,一般可以大于50。
    6、在使用和存放時(shí)應(yīng)注意靜電屏蔽,焊接時(shí)電烙鐵應(yīng)接地良好。
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