我們知道MOS管是電壓控制的，從理論上MOS管電流為零。但是半導(dǎo)體不是理想器件，不可避免的會(huì)存在一些寄生參數(shù)。 閱讀芯片手冊(cè)可以知道，柵極驅(qū)動(dòng)電流公式如下圖。

Fsw為開(kāi)關(guān)頻率，Qg為mos管柵極充滿(mǎn)所需電荷 。 MOS管以BSC109N10NS3為例 ，查看該mos管芯片手冊(cè)，可以知道

Qg為50nC左右。通過(guò)上面公式計(jì)算Igate  = 25mA。  但是問(wèn)題來(lái)了，如下圖

INTVcc的電流驅(qū)動(dòng)能力為23mA，也就是說(shuō)開(kāi)關(guān)頻率大概超過(guò)500K后，就無(wú)法正常驅(qū)動(dòng)這個(gè)MOS管了，但是我把開(kāi)關(guān)頻率改到900K后，電路從表面上運(yùn)行正常。為了一探究竟，我決定測(cè)試一下MOS管的驅(qū)動(dòng)波形。

波形大致看起來(lái)問(wèn)題不大，放大波形，可以看到柵極電壓上升過(guò)程中有振鈴，這個(gè)其實(shí)是MOS管的彌勒效應(yīng)引起的震蕩。這個(gè)震蕩無(wú)疑加大了MOS管的開(kāi)關(guān)損耗。之前是在談?wù)揗OS管驅(qū)動(dòng)電流問(wèn)題，這個(gè)震蕩問(wèn)題其實(shí)從側(cè)面也反應(yīng)了這個(gè)芯片在Qg = 50nC，開(kāi)關(guān)頻率 = 900KHz情況下，驅(qū)動(dòng)能力不足的問(wèn)題。
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