1.判斷柵極G
MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用:假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間。
將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實(shí)此腳為G極，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。
2.判斷源極S、漏極D
將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因?yàn)闇y(cè)試前提不同，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。
場(chǎng)效應(yīng)管圖形符號(hào)、特性、說明解析
場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)，N型溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管電路圖形符號(hào)如左圖所示，場(chǎng)效應(yīng)管共有3個(gè)電極，電路圖形符號(hào)中用字母表示各電極，柵極用G表示，源級(jí)用S表示，漏極用D表示。電路圖形符號(hào)中表示出了結(jié)型與N型溝道，G極的箭頭方向表示是P型還是N型溝道，N型溝道場(chǎng)效應(yīng)管其G極箭頭朝里。場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)，舊的N型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管電路圖形符號(hào)中有個(gè)圓圈，如下圖：
P型溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)如左圖所示，它的G極箭頭向外，以表示是P型溝道，舊P型溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電路圖形符號(hào)中有個(gè)圓圈，如下圖：
場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)，左圖為增強(qiáng)型P溝道絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)，符號(hào)中表示出它是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管電路圖形符號(hào)中有個(gè)圓圈，如下圖：
增強(qiáng)型N溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管電路圖形符號(hào)箭頭朝里表示它是N溝道，舊的N溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管電路圖形符號(hào)中有個(gè)圈圈，如下圖：
耗盡型N溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管圖形符號(hào)與增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管電路圖形符號(hào)的不同之處是用實(shí)線表示，如下圖：
耗盡型雙柵N溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的電路圖形符號(hào)如左圖所示，這種場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2，如下圖：
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)管的電路圖形符號(hào)如左圖所示，它是在一個(gè)管殼內(nèi)裝上兩只性能參數(shù)相同（十分相近）的場(chǎng)效應(yīng)管，如下圖：
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