在負載點(POL)降壓轉換器領城，同步變化的高邊和低邊有源開關已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關的此類電路。與使用無源肖特基二極管作為低邊開關的架構相比，此類開關穩(wěn)壓器具有多項優(yōu)勢。主要優(yōu)勢是電壓轉換效率更高，因為與采用無源二極管的情況相比，低端開關承載電流時的壓降更低。

圖1 用于降壓轉換、采用理想開關的同步開關穩(wěn)壓器

但是，與異步開關穩(wěn)壓器相比，同步降壓轉換器會產(chǎn)生更大的干擾。如果圖1中的兩個理想開關同時導通，即使時間很短，也會發(fā)生從輸入電壓到地的短路。這會損壞開關，必須確保兩個開關永遠不會同時導通。因此，出于安全考慮，需要在一定時間內保持兩個開關都斷開，這個時間稱為開關穩(wěn)壓器的死區(qū)時間。但是，從開關節(jié)點到輸出電壓連接了一個載流電感(L1)，通過電感的電流永遠不會發(fā)生瞬間變化。電流會連續(xù)增加和減少，但它永遠不會跳變。因此，在死區(qū)時間內會產(chǎn)生問題，所有電流路徑在開關節(jié)點側中斷。采用圖1所示的理想開關，在死區(qū)時間內會在開關節(jié)點處產(chǎn)生負無窮大的電壓。在實際開關中，電壓負值將變得越來越大，直到兩個開關中的一個被擊穿并允許電流通過。

圖2 用于降壓轉換的同步開關穩(wěn)壓器，采用N溝道MOSFET和額外的肖特基二極管，可最大限度地減少干擾

大多數(shù)開關穩(wěn)壓器使用N溝道MOSFET作為有源開關。這些開關針對上述情況具有非常有優(yōu)勢的特性。除了具有本身的開關功能外，MOSFET還具有所謂的體二極管。半導體的源極和漏極之間存在一個P-N結。 在圖2中，插入了具有相應P-N結的MOSFET。由此，即使在死區(qū)時間內，開關節(jié)點的電壓也不會下降到負無窮大，而是通過低端MOSFET中的P-N結（如紅色所示）承載電流，直到死區(qū)時間結束并且低端MOSFET導通為止。

相應MOSFET中的體二極管有一個主要缺點。由于反向恢復現(xiàn)象，其開關速度非常低。

在反向恢復時間內，電感(L1)導致開關節(jié)點處的電壓下降到比地電壓低幾伏。開關節(jié)點處的這些陡峭的負電壓峰值會導致干擾，此干擾會被容性耦合到其他電路段。通過插入額外的肖特基二極管可以最大限度地減少這種干擾，如圖2所示。與低端MOSFET中的體二極管不同，它不會產(chǎn)生反向恢復時間，并且在死區(qū)時間開始時能非常快速地吸收電流。這可減緩開關節(jié)點處的 電壓陡降。可減少由于耦合效應而產(chǎn)生并分布到電路上的干擾。

肖特基二極管可以設計得非常緊湊，因為它僅在死區(qū)時間內短時間承載電流。因此，其溫升不會過高，可以放置在小尺寸、低成本的產(chǎn)品外殼中。
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