Crss:反Ig：MOS柵極驅(qū)動(dòng)電流；Vb：穩(wěn)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)電壓；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
效應(yīng)時(shí)刻（開關(guān)時(shí)刻）Ton/off=Qgd/Ig；
第1種：（第1種的變形）
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）
Tr：上升時(shí)刻。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)刻
td(on)：MOS導(dǎo)通延遲時(shí)刻，從有駛?cè)腚妷荷仙?0%開始到VDS下降到其幅值90%的時(shí)刻。
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
其間：
Ig=Qg/Ton
能夠運(yùn)用如下公式估算：
第2種:
假設(shè)兩種Vod都大于零，闡明晶體管溝道全開，也即是處于線性區(qū)。只要一種Vod大于零，闡明晶體管溝道半開（在DS恣意一端沒打開有夾斷），也即是處于飽滿區(qū)。
Vod2=Vds-Vth；
Vod1=Vgs-Vth；
3）假設(shè)能夠愈加深化了解的話，能夠領(lǐng)會(huì)到過驅(qū)動(dòng)電壓不單單合用于指代Vgs，也合用于指代Vgd。即
2）溝道電荷多少直接與過驅(qū)動(dòng)電壓二次方成正比。也即是說，能夠運(yùn)用過驅(qū)動(dòng)電壓來核算飽滿區(qū)的電流。
1）只要在你的過驅(qū)動(dòng)電壓“大于零”的情況下，溝道才會(huì)構(gòu)成，MOS管才會(huì)作業(yè)。也即是說，能夠運(yùn)用過驅(qū)動(dòng)電壓來斷定晶體管是不是導(dǎo)通。
MOS驅(qū)動(dòng)電壓Vod=Vgs-Vth。能夠了解為：超過驅(qū)動(dòng)門限（Vth）的剩余電壓巨細(xì)。
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